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GST锗碲锑靶
1氧化硅靶
1氧化硅靶
GST锗碲锑靶
成分:Ge,Sb,Te(不同原子比)
纯度:99.9%
尺寸:50.8mm - 440mm
GeSbTe是一种相变储存材料,基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)显示出显著的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术,是一种极具潜力的未来新型半导体存储芯片技术。

联系人:张经理 18608419172 微信同号
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产品描述

产品详情

GeSbTe是一种相变储存材料,基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)显示出显著的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术,是一种极具潜力的未来新型半导体存储芯片技术。

产品规格

成分

Ge,Sb,Te(不同原子比)

纯度

99.99%

密度

>6.38g/cm3

尺寸

50.8mm - 440mm

公差

直径:±0.1mm,厚度:±0.1mm

粗糙度

32RMS

 

GST锗碲锑靶

关键词:
锗碲锑靶
半导体镀膜靶材
GST溅射镀膜靶
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