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GeSbTe是一种相变储存材料，基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)显示出显著的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术，是一种极具潜力的未来新型半导体存储芯片技术。
产品规格
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成分 |
Ge,Sb,Te（不同原子比） |
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纯度 |
99.99% |
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密度 |
>6.38g/cm3 |
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尺寸 |
50.8mm - 440mm |
|
公差 |
直径：±0.1mm,厚度：±0.1mm |
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粗糙度 |
32RMS |
关键词:
锗碲锑靶
半导体镀膜靶材
GST溅射镀膜靶
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纯度：99.99%<br>
尺寸：50.8mm - 300mm<br>
In2Se3主要用作半导体，光导材料，光，电传感器件。<br>
可根据客户要求定制
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<a href="tel:18608419172" style="color:red;font-weight: bold;">联系人：张经理 18608419172 微信同号</a>
纯度：99.99%<br>
尺寸：50.8mm - 300mm<br>
CIGS薄膜太阳能电池，由Cu（铜）、In（铟）、Ga（镓）、Se（硒）四种元素构成最佳比例的黄铜矿结晶薄膜太阳能电池，是组成电池板的关键技术。由于该产品具有光吸收能力强，发电稳定性好、转化效率高，白天发电时间长、发电量高、生产成本低以及能源回收周期短等诸多优势，CIGS太阳能电池已是太阳能电池产品的明日之星。<br>
可根据客户要求定制
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纯度: 3N5<br>
尺寸 : 1-10英寸，非常规尺寸可定做<br>
用途:铱的高温抗氧化性和热电性能使铱/铱铑热电偶成为惟一能在大气中测量达2100℃高温的贵金属测温材料<br>
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化学纯度：99.99%<br>
尺寸：直径20～300mm，厚度1～60mm按要求定制<br>
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化学纯度：99.99%<br>
尺寸：直径20～300mm，厚度1～60mm按要求定制<br>
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规格：纯度Re≥99.99%~99.999%，形状、尺寸、密度接受各种定制产品。<br>
铼靶材用于磁控溅射镀膜，磁控溅射镀膜是一种新型的物理气相（PVD）镀膜方式，相比于蒸发镀膜方式，其在很多方面有相当明显的优势，作为一项已经发展得较为成熟的技术，磁控溅射已经被应用于许多领域，比如在半导体集成电路、太阳能光伏、记录介质、平面显示以及工件表面涂层等方面都得到了广泛应用。
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