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| 离子注入件

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离子注入技术是指在半导体晶圆表面掺杂硼、磷和砷等离子,从而改变其电气特性和器件电导率,或使用非掺杂元素如锗、碳,达到修改晶圆材料表面性质的目标。离子源是离子注入机中最核心的部件,主要由各种钨、钼部件组成。离子注入行业对于杂质元素的要求是非常严苛的,任何杂质元素的超标都有可能导致离子注入材料的污染和失效,因此离子注入用钨材或钼材必须首先满足其对化学纯度的严格要求。另外,密度也是一项重要的性能参考指标,这是因为离子源中的钨材或钼材零部件,在使用过程中大多会受到电子的轰击或侵蚀。密度偏低会严重影响零部件的使用寿命。好的品质源于取材,欧泰稀材是国内较早实现工业化规模生产的半导体靶材级(纯度超5N)高纯钨钼粉末原料制造商,对于离子注入用钨钼部件,推荐客户使用4N或5N级高纯原料,经粉末冶金、锻轧、精密机加工等工序制造而成。
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产品描述
参数

方案优势

Solution advantages

 

离子注入用钨材及其成品零部件
使用4N或5N级高纯原料,经粉末冶金、锻轧、精密机加工等工序制造而成。
  离子注入用钼材及其成品零部件
使用4N或5N级高纯原料,经粉末冶金、锻轧、精密机加工等工序制造而成。

 

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钨、钼离子注入件
钨、钼离子注入件
离子注入是近三十年来国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性高新技术,实现了材料的表面性能的优化或可以获得某些新的优异性能。由于此项高新技术独特而突出的特点,在现代集成电路制造中是一项非常重要的技术。它利用离子注入机实现半导体的掺杂,改变半导体的导电性与晶体管结构。

联系人:张经理 18608419172 微信同号
99.99%-99.999%高纯钨粉
99.99%-99.999%高纯钨粉
5N高纯钨粉 欧泰专产半导体 电子级 离子注入用高纯钨粉
规格:3-5um
纯度:4N-6N
用途:用于制备高纯钨靶和高纯钨合金靶材,制备硬质合金工具,粉末冶金,金刚石工具,高比重合金,触头,难熔合金。钨合金,如钨钼合金、钨铼合金、钨铜合金和高密度钨合金等
产品特性:高比重,耐高温,硬度高
联系人:张经理 18608419172 微信同号
高纯钼粉 低钾3N8高纯钼粉
高纯钼粉 低钾3N8高纯钼粉
欧泰专门为电子材料用户定制电子级靶材用4N高纯钼粉,低钾钨含量3N8高纯钼粉,用于高品质溅射钼靶,钼铌合金靶,电子浆料,等离子注入用钼材等对钼材纯度要求较高的行业领域

联系人:张经理 18608419172 微信同号
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