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离子注入是近三十年来国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性高新技术，实现了材料的表面性能的优化或可以获得某些新的优异性能。由于此项高新技术独特而突出的特点，在现代集成电路制造中是一项非常重要的技术。它利用离子注入机实现半导体的掺杂，改变半导体的导电性与晶体管结构。
应用
由于在离子注入时，离子源转换为电浆离子会产生2000℃以上的工作温度，离子束喷发的时候也会产生很大的离子动能，一般的金属很快就会烧熔。因此，需要质量和密度都相对较大的惰性金属，以维持离子束的喷发方向和增加组件耐用度。钨材料的高温化学性能稳定，热变性小和使用寿命长等优点，成为了半导体行业离子注入机离子源件及耗材的首选，发射阴极的屏蔽筒、发射面板、中心固定杆、起弧室内丝极板等这些都统称为离子注入钨零件
关键词:
钨离子注入件
钼离子注入件
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相对于无氧铜材料，弥散铜的硬度较高(HV>125),强度大(抗拉强度>350MPa)，而无氧铜的对应数据HV40,250MPa。并且具有较高的软化温度。
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<a href="tel:18608419172" style="color:red;font-weight: bold;">联系人：张经理 18608419172 微信同号</a>
1. 比CMC有更高的热导率<br>
2. 可冲制成零件，降低成本<br>
3. 界面结合牢固，可反复承受850℃高温冲击<br>
4. 可设计的热膨胀系数，与半导体和陶瓷等材料相匹配<br>
5. 无磁性
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1. 钨铜电子封装材料具有可以调整的热膨胀系数，可以与不同基体（如：不锈钢，可阀合金，硅，砷化镓，氮化镓，氧化铝等）相匹配；<br>
2. 未添加烧结活化元素，保持着良好的导热性能；
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3. 孔隙率低，产品气密性好；<br>
4. 良好的尺寸控制，表面光洁度和平整度。<br>
5. 提供片材，成型件，也可以满足电镀需求。
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钼铜是钼和铜的复合材料，其性能与钨铜相似，同样具有可调的热膨胀系数和热导率。但钼铜的密度比钨铜小很多，因而更适合于航空航天等领域。产品纯度高，组织均匀，性能优异。由于使用的Mo-Cu材料不加任何粘接剂，材料具有很高的导热率，热膨胀率与电子工业的陶瓷材料和半导体材料相匹配，通过Mo-Cu冲压和大批量生产节约成本，机加工性能好。钼铜材料比钼更耐烧蚀，更具有塑性和可加工性，可以用作使用温度稍低的火箭、导弹的高温部件，也可替代钼作为其他武器中的零部件。大功率的集成电路和微波集成器件要求高电导热导材料作为导电散热元件，同时又要兼顾真空性能、耐热性能及热膨胀系数等。钼铜的各项特性符合这些要求，是这方面的优选材料。
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