我们可生产纯度99.9%~99.9999%的各种纯度及要求的铜靶，其中氧含量最低可以<1ppm，主要用于显示屏及触摸屏配线及其保护膜，太阳能光吸收层、半导体配线等行业。除了满足客户平面靶（最大G8.5代）的需求，我们还可以生产铜的旋转靶，主要用于触摸屏行业。高纯铜靶的晶粒很难打碎，我们只有通过超大变形量加工，控制栾晶的生长，以取得细小均匀的微观组织，从而可确保溅射镀膜时能获得较低侵蚀速率，并且降低溅射过程中颗粒的形成敏感度。下图是铜溅射靶材的两种典型的显微金相检测图片，平均粒径<50um。

铜溅射靶中的杂质会降低材料的导电率，在半导体膜层生产中杂质元素是影响良率的主要因素。以钛、磷、钙、铁、铬和硒等形式存在的杂质尤为关键，而这些金属在我们的铜靶中含量很少，其杂质含量远远低于客户要求标准值。以下表格是4N高纯铜溅射靶的成分分析证明书，采用的分析方法：1.使用GDMS或ICP-OES对金属元素进行分析；2.使用LECO进行气体元素分析。