高纯钨是制造集成电路的基本材料，材料形状可以是箔片、片材、靶材、灯丝、绝缘线、直棒、圆管、粉末、单晶等。广泛用作半导体大型的栅电路电极材料、布线材料和屏蔽金属材料级集成电路。纯度达到99.999%和99.9999%，分别记录为5N和6N纯钨。各种杂质元素的含量应在（0.1～1000）×10-12之间，某些杂质元素的含量有特殊要求，如放射性、碱金属、重金属、气体元素等。

    高纯钨及其硅化物在超大规模集成电路中用作电阻层、扩散阻挡层等，在金属氧化物半导体晶体管中用作栅极材料和连接材料。微量元素的测定是评价性能的重要标准。降低微量元素的测定限，增加微量元素的数量，提高测定的准确度和灵敏度是检测过程的主要任务。研究方向。检测高纯金属中痕量元素的常用方法包括光谱分析、质谱分析和中子分析。随着材料纯度的提高，传统的光谱分析和中子分析所测元素的量和分析灵敏度已不能满足6N钨粉的分析要求，而质谱法在高浓度钨粉的痕量杂质检测发挥着越来越重要的作用-纯度钨。越来越重要的作用。

    高纯钨的制备过程繁琐，各种提纯方法去除不同杂质的效果差异很大；国内高纯钨精炼工艺中，仍仅采用简单的真空脱气去除间隙杂质。纯度受到某些限制。该熔炼法温度高、无污染、提纯效果好，在提纯难熔金属方面有很大优势；但其原料纯度要求高，成本高，工艺费时。因此如何将多种工艺有机结合成功制备高纯钨成为研究热点和难点。

    高纯钨的制备方法可分为粉末冶金、熔炼和化学气相沉积法。

    1、粉末冶金：钨粉成型后，可得到钨坯或某种简单形式的钨制品，加热至其熔点下的某一温度，通过物质迁移完成致密化过程。

    2、熔制：指原料加热至熔点以上形成液相，具体方法有真空自耗电弧熔炼法、电子束熔炼法、等离子体熔炼法等，除去杂质后冷却凝固致密化的过程，根据所采用的手段不同而不同。

    3、化学气相沉积：指以化合物气(一般为WF6)为钨源，得到致密的坯(或产品)的过程，在一定温度下被H2还原，将生成的沉积在特定的基底上，沉积完成后去除基底材料。