铱靶-众所周知，靶材的技术发展趋势与薄膜技术在下游应用行业的发展趋势息息相关。随着应用行业中薄膜产品或元器件的技术进步，目标技术也应随之改变。如Ic厂家。最近我们一直在致力于低阻铜布线的开发，预计未来几年内原有的铝膜将有很大的替代，因此铜靶材和所需阻隔层靶材的开发将刻不容缓。

    铱靶-近年来平板显示器（FPD）在很大程度上取代了原本由阴极射线管（CRT）主导的电脑显示器和电视市场。也将大大提高增加ITO靶材的技术和市场发展需求。在存储技术方面也是如此。对高密度、大容量硬盘和高密度可重写光盘的需求不断增加。这导致了应用行业对目标材料需求的变化。下面我们将介绍靶材的主要技术应用研究领域以及靶材在这些不同领域的发展变化趋势。

    铱靶-微电子

    铱靶-在所有应用工业中，半导体工业对来自靶的溅射膜的质量有最严格的要求。今天，12英寸（300英寸）的硅晶片已经制造出来。互连线的宽度以及正在逐渐减小。硅片生产厂家要求目标材料具有大尺寸、高纯度、低偏析、细晶粒的特点，要求目标材料具有良好的显微结构。靶材的结晶粒径和均匀度被认为是社会影响进行薄膜沉积速率的关键技术因素。此外，薄膜的纯度与靶材的纯度有很大关系。

    铱靶-过去，纯度为99.995%(4N5)的铜靶可满足半导体制造商的0.35pm工艺的要求，但不满足当前的0.25um工艺。0.18um}工艺技术甚至0.13m工艺，要求企业目标进行纯度可以达到5甚至6N以上。与铝相比，铜具有较高的电导率电阻和较低的电阻率可以满足！对0.25um以下导体技术的亚微米布线的需求带来了其他问题：铜和有机介电材料的粘合强度低。并且很容易起反应，导致芯片的铜互连在使用过程中被腐蚀开路。

    铱靶-为了自己解决上述分析问题，需要在铜和介电层之间进行设置阻挡层。阻隔层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物。因此，要求阻挡层具有小于50nm的厚度和对铜和介电材料的良好粘附性。铜互连和铝互连的阻挡材料是不同的。需要开发新的靶材。

    铱靶-用于存储

    在存储信息技术管理方面，发展具有高密度、大容量的硬盘需要进行大量的巨磁阻薄膜材料。CoF~Cu多层复合薄膜是当今应用最广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘所需的TbFeCo合金靶材还在进一步发展。本实用新型制成的磁光盘具有存储容量大、使用寿命长、可反复非接触擦除等优点。今天我们开发的磁光盘技术具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层状结构复合生物膜结构。