这是描述信息
CN

EN

imgboxbg

应用技术

了解前沿应用技术

搜索
搜索

应用技术

您现在的位置:
首页
/
/
专门应对高温合金、难熔金属等材质零部件的 铣、削、钻加工刀具基体材料解决方案

专门应对高温合金、难熔金属等材质零部件的 铣、削、钻加工刀具基体材料解决方案

  • 分类:应用技术
  • 作者:欧泰稀材
  • 来源:
  • 发布时间:2022-04-06 09:52
  • 访问量:0

【概要描述】 湖南欧泰稀有金属有限公司具有十多年的合金微量添加应用开发经验,专为各合金制造企业提供稀有、稀散、稀贵金属元素添加解决方案。欧泰稀材根据近年来众多用户反映的高温合金、难熔金属等材质零部件在铣、削、钻加工中遇到的难题,经过与国内行业龙头企业五年的联合研发测试,终于成功开发了专门用于添加在此类特殊硬质合金刀具基体材料的钌、铼、锇等单质高纯超细粉末,或Co-Ru、Re、Os二元、三元预合金混合粉末,也热忱欢迎各大高性能合金刀具制造企业与我司联合定向开发各类专用定制刀具材质牌号。

专门应对高温合金、难熔金属等材质零部件的 铣、削、钻加工刀具基体材料解决方案

【概要描述】 湖南欧泰稀有金属有限公司具有十多年的合金微量添加应用开发经验,专为各合金制造企业提供稀有、稀散、稀贵金属元素添加解决方案。欧泰稀材根据近年来众多用户反映的高温合金、难熔金属等材质零部件在铣、削、钻加工中遇到的难题,经过与国内行业龙头企业五年的联合研发测试,终于成功开发了专门用于添加在此类特殊硬质合金刀具基体材料的钌、铼、锇等单质高纯超细粉末,或Co-Ru、Re、Os二元、三元预合金混合粉末,也热忱欢迎各大高性能合金刀具制造企业与我司联合定向开发各类专用定制刀具材质牌号。

  • 分类:应用技术
  • 作者:欧泰稀材
  • 来源:
  • 发布时间:2022-04-06 09:52
  • 访问量:0
详情

高温合金又称耐热合金或热强合金,是指以铁、镍、钴等为基,添加钨、钼、铼、钽、铌、锆、铪、钒等一种或多种难熔金属元素,能在600℃以上的高温及一定应力作用下长期工作的一类合金材料。高温合金具有较好的高温强度、抗氧化性能、抗腐蚀性能、抗疲劳性能和抗断裂韧性等综合性能,在航空发动机、冶金矿山、石油化工等得到了广泛应用。

一、铣、削、钻加工高温合金、难熔金属材料的难点、痛点

       高温合金可以说是各种难切削材料中最难切削的材料之一,合金中的强化相越多,分散程度越大,热强性就越好,就越难切削。加工难点主要表现为:

1、塑性变形较大。不同的高温合金其伸长率相差很大,但大多数都具有一定的塑形,其中有些合金的塑形很高,室温下的伸长率可达45%。

2、切削力大。高温合金中含有大量的纯度高、组织致密的奥氏体固溶体存在,切削时硬度大大提高,且冷硬现象严重,所以切削力很大,比切削一般钢材大2~3倍。

3、冷硬现象严重。由于高温合金的软化温度高,软化速度低,所以随着温度冷却产生硬化现象严重,切削高温合金时,已加工工件表面的硬度比正在加工中的基体硬度高50~100%。高温合金材料的这个性能也决定了加工其工件的刀具必须具有高红硬性的特点。

4、切削温度高。高温合金在切削中产生较大的塑性变形,同时刀具与工件和切屑之间产生着强烈摩擦,产生大量的切削热;并且高温合金的热导率很低,导致大部分的切削热集中在狭小的切削区域内,使切削温度升高,最高可达1000℃左右。

5、刀具易磨损、崩刃,使用寿命短。高温合金中含有许多金属碳化物、氮化物、硼化物及金属间化合物,在切削过程中,给刀具造成了巨大的摩擦和磨料磨损。

6、加工精度不易保证。切削高温合金时,切削温度高,会造成工件热变形,使尺寸和形状精度发生变化,不易保证。

 二、专门应对加工高温合金、难熔金属的特殊硬质合金刀具材质

       专门切削加工高温合金、难熔金属材料的刀具,应选用红硬性好、同时具备较高的抗弯强度,即在600度以上温度条件下,仍具有足够硬度和强度的高硬高强质地材料。常规硬质合金牌号的刀具难以满足此类加工要求。硬质合金通常硬度和强度之间的组合难搭配合理,长期以来,研究人员在这方面做了大量的研究工作,采取了诸多措施,力图同时改善硬质合金硬度、强度和韧性等性能,这其中,添加某些微量元素,如铬Cr,对硬质合金的晶粒抑制长粗,还有通过吸附杂质来净化晶界,从而改善WC-Co润湿性的稀土元素及其氧化物等,还有少量弥散的超硬化合物,以及可与钴Co形成复合粘接相的金属元素等,对改善硬质合金切削刀具的性能起到了一定的强化作用。

       近年来,随着研究的深入和应用测试的推广,以钌、铼、锇等稀贵金属元素为主的微量添加对WC-Co硬质合金晶粒微观结构及红硬性性能的影响十分明显,其添加后可以显著抑制WC晶粒的异常长大,同时Co-Ru、Re、Os二元或三元系固溶体提升了单一Co粘接相的熔点,改善了合金的高温强度,达到了在一定程度上提升合金硬度的同时,也提高合金强度的目标。据用户测试表明:添加有钌、铼、锇等稀贵金属元素的硬质合金相比未添加的普通WC-Co系硬质合金,其抗弯强度可从3200MPA明显提高到4000MPA,增幅达25%以上。另外,钌、铼、锇等稀贵金属元素的添加还能降低合金的热传导性能,保证了切削中热量的最小程度向刀体传递,明显提升合金刀片的寿命;再之,稀贵金属钌、铼、锇等的添加可以提高WC-Co系合金在酸性溶液中的耐腐蚀性能,降低腐蚀速率。

 

       湖南欧泰稀有金属有限公司具有十多年的合金微量添加应用开发经验,专为各合金制造企业提供稀有、稀散、稀贵金属元素添加解决方案。欧泰稀材根据近年来众多用户反映的高温合金、难熔金属等材质零部件在铣、削、钻加工中遇到的难题,经过与国内行业龙头企业五年的联合研发测试,终于成功开发了专门用于添加在此类特殊硬质合金刀具基体材料的钌、铼、锇等单质高纯超细粉末,或Co-Ru、Re、Os二元、三元预合金混合粉末,也热忱欢迎各大高性能合金刀具制造企业与我司联合定向开发各类专用定制刀具材质牌号。

      详情请拨打0731-88590095咨询

关键词:

扫二维码用手机看

热点应用技术排行榜

专门应对高温合金、难熔金属等材质零部件的 铣、削、钻加工刀具基体材料解决方案
专门应对高温合金、难熔金属等材质零部件的 铣、削、钻加工刀具基体材料解决方案
 湖南欧泰稀有金属有限公司具有十多年的合金微量添加应用开发经验,专为各合金制造企业提供稀有、稀散、稀贵金属元素添加解决方案。欧泰稀材根据近年来众多用户反映的高温合金、难熔金属等材质零部件在铣、削、钻加工中遇到的难题,经过与国内行业龙头企业五年的联合研发测试,终于成功开发了专门用于添加在此类特殊硬质合金刀具基体材料的钌、铼、锇等单质高纯超细粉末,或Co-Ru、Re、Os二元、三元预合金混合粉末,也热忱欢迎各大高性能合金刀具制造企业与我司联合定向开发各类专用定制刀具材质牌号。
查看详情
 湖南欧泰稀有金属有限公司具有十多年的合金微量添加应用开发经验,专为各合金制造企业提供稀有、稀散、稀贵金属元素添加解决方案。欧泰稀材根据近年来众多用户反映的高温合金、难熔金属等材质零部件在铣、削、钻加工中遇到的难题,经过与国内行业龙头企业五年的联合研发测试,终于成功开发了专门用于添加在此类特殊硬质合金刀具基体材料的钌、铼、锇等单质高纯超细粉末,或Co-Ru、Re、Os二元、三元预合金混合粉末,也热忱欢迎各大高性能合金刀具制造企业与我司联合定向开发各类专用定制刀具材质牌号。
钨铼合金在搅拌摩擦焊中的应用
钨铼合金在搅拌摩擦焊中的应用
欧泰旗下湖南铼因铼合金材料有限公司,是一家专门研究和制造稀有高熔点金属“铼”以及“铼合金”材料的高科技企业。铼因公司对钨铼合金有多年研究经验,所生产的3个牌号搅拌头材料已批量应用于各行业领域,也可以根据客户需求定制新的合金牌号。
查看详情
欧泰旗下湖南铼因铼合金材料有限公司,是一家专门研究和制造稀有高熔点金属“铼”以及“铼合金”材料的高科技企业。铼因公司对钨铼合金有多年研究经验,所生产的3个牌号搅拌头材料已批量应用于各行业领域,也可以根据客户需求定制新的合金牌号。
CT机X射线管阳极旋转靶
CT机X射线管阳极旋转靶
CT球管在工作时,阳极靶在高能电子束轰击下产生X射线,但是能量转换效率非常低,只有1%左右的能量转换成了X射线能,其余99%的能量则转化为热能,使得局部温度可高达2600℃。因此,旋转阳极靶需要具有高温强度高、抗热冲击性能好、散热快等特点,所以靶材的致密度、合金杂质元素含量、石墨和钼合金的钎焊结合强度是影响靶盘使用寿命的重要因素。
查看详情
CT球管在工作时,阳极靶在高能电子束轰击下产生X射线,但是能量转换效率非常低,只有1%左右的能量转换成了X射线能,其余99%的能量则转化为热能,使得局部温度可高达2600℃。因此,旋转阳极靶需要具有高温强度高、抗热冲击性能好、散热快等特点,所以靶材的致密度、合金杂质元素含量、石墨和钼合金的钎焊结合强度是影响靶盘使用寿命的重要因素。
MOCVD中不可替代的“铼”加热器件
MOCVD中不可替代的“铼”加热器件
金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,简称 MOCVD)是制备混合半导体器件、金属及金属氧化物、金属氮化物薄膜材料的一种芯片外延技术。MOCVD系统中,晶体生长多在常压或低压状态下(10-100Torr),衬底温度为500~1200℃,为了能够生长出纯净、界面陡峭、一致性好的薄膜材料, MOCVD设备需要为化学反应提供合适的环境。加热系统是 MOCVD 设备的重要组成部分,它能否快速、均匀的加热衬底,直接影响着薄膜沉积的质量、厚度一致性,以及芯片的性能。
查看详情
金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,简称 MOCVD)是制备混合半导体器件、金属及金属氧化物、金属氮化物薄膜材料的一种芯片外延技术。MOCVD系统中,晶体生长多在常压或低压状态下(10-100Torr),衬底温度为500~1200℃,为了能够生长出纯净、界面陡峭、一致性好的薄膜材料, MOCVD设备需要为化学反应提供合适的环境。加热系统是 MOCVD 设备的重要组成部分,它能否快速、均匀的加热衬底,直接影响着薄膜沉积的质量、厚度一致性,以及芯片的性能。
关于MOCVD
关于MOCVD
2020-12-01
MOCVD 设备的制造技术被国外少数几个公司所掌握,如德国的AIXTRON、英国的Thomas Swan 与EMF、美国的Veeco、日本的Nishia、Nippon Sanso 和NissinElectric 等,还有一些公司在生产过程中采用自己独特的MOCVD 设备。
查看详情
MOCVD 设备的制造技术被国外少数几个公司所掌握,如德国的AIXTRON、英国的Thomas Swan 与EMF、美国的Veeco、日本的Nishia、Nippon Sanso 和NissinElectric 等,还有一些公司在生产过程中采用自己独特的MOCVD 设备。
钛铼合金打造的“深海怪兽”
钛铼合金打造的“深海怪兽”
1978年4月22日,位于俄罗斯与欧洲部分北部,阿尔汉格尔斯克州的港口城市北德文斯克造船厂开始建造一艘神秘的新型M级战略攻击型核潜艇。该艇采用双层壳体结构设计,并创造性地在“太空金属”钛合金中添加稀散难熔金属“铼”制成潜艇外壳。K278战略核潜艇的出现再一次向全世界展示了“战斗民族”在军事工业上的制造实力。当时为了生产出全球最强的战略核潜艇,前苏联也不惜血本,要知道当时全球金属铼的年产量也只有一、二十吨。 
查看详情
1978年4月22日,位于俄罗斯与欧洲部分北部,阿尔汉格尔斯克州的港口城市北德文斯克造船厂开始建造一艘神秘的新型M级战略攻击型核潜艇。该艇采用双层壳体结构设计,并创造性地在“太空金属”钛合金中添加稀散难熔金属“铼”制成潜艇外壳。K278战略核潜艇的出现再一次向全世界展示了“战斗民族”在军事工业上的制造实力。当时为了生产出全球最强的战略核潜艇,前苏联也不惜血本,要知道当时全球金属铼的年产量也只有一、二十吨。 
关于铼方面的技术
关于铼方面的技术
铼是一种稀散、难熔金属。稀散是指铼在地壳中的含量稀少、分散,难熔是指铼金属的熔点极高,其熔点高达3180℃,仅次于钨,居所有金属的第二位。因其化合物的催化活性、耐高温、耐腐蚀等优异特性,主要用于石油冶炼催化剂、热电高温合金、电子管结构材料、航空航天特殊合金、环境保护等领域。一、铼的发现和资源  铼是稀有金属中的一个真正稀散元素。它在地壳中的含量比所有的稀土元素都小,铼仅仅大于镤和镭这些元素。再加上
查看详情
铼是一种稀散、难熔金属。稀散是指铼在地壳中的含量稀少、分散,难熔是指铼金属的熔点极高,其熔点高达3180℃,仅次于钨,居所有金属的第二位。因其化合物的催化活性、耐高温、耐腐蚀等优异特性,主要用于石油冶炼催化剂、热电高温合金、电子管结构材料、航空航天特殊合金、环境保护等领域。一、铼的发现和资源  铼是稀有金属中的一个真正稀散元素。它在地壳中的含量比所有的稀土元素都小,铼仅仅大于镤和镭这些元素。再加上
高纯金属材料的应用和发展
高纯金属材料的应用和发展
高纯钨  纯度达到99.999%(5N)和99.9999%(6N)的纯钨材料,称之为高纯钨。高纯钨的总杂质元素含量应被控制在1ppm~10ppm(10-6~10-5)之间,对于某些特别杂质元素的含量,如放射性元素、碱金属元素、重金属元素和气体元素等还分别有特殊的要求。由于放射性元素U和Th具有a射线,在记忆回路中可引起“软误差”而影响电路的质量和性能,所以在高纯钨的杂质元素中,要求U和Th的含量应特别低,一般来说应低至1ppb(即1×10-9)以下,最低达到0.1ppb(1×10-10)。另外,高纯钨对于碱金属元素(K、Na、Li)的含量也分别有严格要求。高纯钨主要被制备成纯金属靶材或合金靶材,通过磁控溅射的方式得到符合要求的功能薄膜。由于高纯钨(5N或6N)具有对电子迁移的高电阻、高温稳定性以及能形成稳定的硅化物,在电子工业中以薄膜形式用作栅极、连接和障碍金属。高纯钨及钨硅、钨钛溅射靶材常被施以薄膜形式用于超大规模集成电路作为电阻层、扩散阻挡层、过渡层等以及在金属氧化物半导体型晶体管中作为门材料及连接材料等。现代电子、半导体、光伏产业的飞速发展,对材料特别是金属材料的纯度要求近乎苛刻完美。高纯钨由于其极高的性能表现而在其中扮演着十分重要的角色。高纯钼  纯度达到99.99%(4N)和99.999%(5N)的纯钼材料,称之为高纯钼。高纯钼的总杂质元素含量相应被控制在100ppm~10ppm(10-4~10-5)之间。和高纯钨一样,对于高纯钼中某些特别杂质元素的含量,如放射性元素、碱金属元素、重金属元素和气体元素等也分别有特殊的要求。由于高纯钼主要应用于靶材领域,所以一般要求U+Th和碱金属的含量十分低。由于高纯钼材料的实验开发较晚,工业化制造更是无从说起,其用途在几年前还往往被工业级或粉冶级的普通钼材料代替。然而,近年来半导体产业的突飞猛进以及高精密电子产品快速升级换代,大大促进了对基础材料更高更新的要求。和高纯钨一样,高纯钼主要被制备成纯金属靶材或合金靶材,通过磁控溅射的方式得到符合要求的功能薄膜。溅射的工作原理是用高速粒子轰击靶材,使靶材表面的金属原子脱离靶材,以薄膜的形式沉积到玻璃或其他基板上,最终形成复杂的配线结构。相对于普通钼靶而言,高纯钼溅射靶材由于其杂质含量极少、化学纯度很高,从而可形成更高品质的薄膜材料,现已广泛用于制造薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD);半导体工业大规模集成电路的配线材料;太阳能工业新型薄膜系太阳能电池;以及其它高新材料领域。半导体等大型集成电路对金属材料的纯度要求极高,高纯钼由于其极优的性能表现而在现代电子、半导体、光伏产业中成为首选的高端优质材料。溅射靶材Sputter磁控溅镀原理  Sputter在辞典中意思为:(植物)溅散。此之所谓溅镀乃指物体以离子撞击时,被溅射飞散出。因被溅射飞散的物体附著于目标基板上而制成薄膜。在日光灯的插座附近常见的变黑现象,即为身边最赏见之例,此乃因日光灯的电极被溅射出而附著于周围所形成。溅镀现象,自19世纪被发现以来,就不受欢迎,特别在放电管领域中尤当防止。近年来被引用于薄膜制作技术效效佳,将成为可用之物。薄膜制作的应用研究,当初主要为BellLab.及WesternElectric公司,于1963年制成全长10m左右的连续溅镀装置。1966年由IBM公司发表高周波溅镀技术,使得绝缘物之薄膜亦可制作。后经种种研究至今已达“不管基板的材料为何,皆可被覆盖任何材质之薄膜”目的境地。而若要制作一薄膜,至少需要有装置薄膜的基板及保持真空状况的道具(内部机构)。这种道具即为制作一空间,并使用真空泵将其内气体抽出的必要。Sputter溅镀定义:在一相对稳定真空状态下,阴阳极间产生辉光放电,极间气体分子被离子化而产生带电电荷,其中正离子受阴极之负电位加速运动而撞击阴极上之靶材,将其原子等粒子溅出,此溅出之原子则沉积于阳极之基板上而形成薄膜,此物理现象即称溅镀。
查看详情
高纯钨  纯度达到99.999%(5N)和99.9999%(6N)的纯钨材料,称之为高纯钨。高纯钨的总杂质元素含量应被控制在1ppm~10ppm(10-6~10-5)之间,对于某些特别杂质元素的含量,如放射性元素、碱金属元素、重金属元素和气体元素等还分别有特殊的要求。由于放射性元素U和Th具有a射线,在记忆回路中可引起“软误差”而影响电路的质量和性能,所以在高纯钨的杂质元素中,要求U和Th的含量应特别低,一般来说应低至1ppb(即1×10-9)以下,最低达到0.1ppb(1×10-10)。另外,高纯钨对于碱金属元素(K、Na、Li)的含量也分别有严格要求。高纯钨主要被制备成纯金属靶材或合金靶材,通过磁控溅射的方式得到符合要求的功能薄膜。由于高纯钨(5N或6N)具有对电子迁移的高电阻、高温稳定性以及能形成稳定的硅化物,在电子工业中以薄膜形式用作栅极、连接和障碍金属。高纯钨及钨硅、钨钛溅射靶材常被施以薄膜形式用于超大规模集成电路作为电阻层、扩散阻挡层、过渡层等以及在金属氧化物半导体型晶体管中作为门材料及连接材料等。现代电子、半导体、光伏产业的飞速发展,对材料特别是金属材料的纯度要求近乎苛刻完美。高纯钨由于其极高的性能表现而在其中扮演着十分重要的角色。高纯钼  纯度达到99.99%(4N)和99.999%(5N)的纯钼材料,称之为高纯钼。高纯钼的总杂质元素含量相应被控制在100ppm~10ppm(10-4~10-5)之间。和高纯钨一样,对于高纯钼中某些特别杂质元素的含量,如放射性元素、碱金属元素、重金属元素和气体元素等也分别有特殊的要求。由于高纯钼主要应用于靶材领域,所以一般要求U+Th和碱金属的含量十分低。由于高纯钼材料的实验开发较晚,工业化制造更是无从说起,其用途在几年前还往往被工业级或粉冶级的普通钼材料代替。然而,近年来半导体产业的突飞猛进以及高精密电子产品快速升级换代,大大促进了对基础材料更高更新的要求。和高纯钨一样,高纯钼主要被制备成纯金属靶材或合金靶材,通过磁控溅射的方式得到符合要求的功能薄膜。溅射的工作原理是用高速粒子轰击靶材,使靶材表面的金属原子脱离靶材,以薄膜的形式沉积到玻璃或其他基板上,最终形成复杂的配线结构。相对于普通钼靶而言,高纯钼溅射靶材由于其杂质含量极少、化学纯度很高,从而可形成更高品质的薄膜材料,现已广泛用于制造薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD);半导体工业大规模集成电路的配线材料;太阳能工业新型薄膜系太阳能电池;以及其它高新材料领域。半导体等大型集成电路对金属材料的纯度要求极高,高纯钼由于其极优的性能表现而在现代电子、半导体、光伏产业中成为首选的高端优质材料。溅射靶材Sputter磁控溅镀原理  Sputter在辞典中意思为:(植物)溅散。此之所谓溅镀乃指物体以离子撞击时,被溅射飞散出。因被溅射飞散的物体附著于目标基板上而制成薄膜。在日光灯的插座附近常见的变黑现象,即为身边最赏见之例,此乃因日光灯的电极被溅射出而附著于周围所形成。溅镀现象,自19世纪被发现以来,就不受欢迎,特别在放电管领域中尤当防止。近年来被引用于薄膜制作技术效效佳,将成为可用之物。薄膜制作的应用研究,当初主要为BellLab.及WesternElectric公司,于1963年制成全长10m左右的连续溅镀装置。1966年由IBM公司发表高周波溅镀技术,使得绝缘物之薄膜亦可制作。后经种种研究至今已达“不管基板的材料为何,皆可被覆盖任何材质之薄膜”目的境地。而若要制作一薄膜,至少需要有装置薄膜的基板及保持真空状况的道具(内部机构)。这种道具即为制作一空间,并使用真空泵将其内气体抽出的必要。Sputter溅镀定义:在一相对稳定真空状态下,阴阳极间产生辉光放电,极间气体分子被离子化而产生带电电荷,其中正离子受阴极之负电位加速运动而撞击阴极上之靶材,将其原子等粒子溅出,此溅出之原子则沉积于阳极之基板上而形成薄膜,此物理现象即称溅镀。
二维码

扫描二维码,关注公众号,了解更多前沿技术。

在线客服

版权所有: 湖南欧泰稀有金属有限公司      湘ICP备17001881号       网站建设:中企动力长沙