高纯钨是一种制造集成电路的基本材料，材料形状可以是箔膜，薄片，靶材，细丝，绝缘线，直棒，圆管，粉末，单晶体等。广泛用作半导体大规模集成电路的门电路电极材料、布线材料和屏蔽金属材料。高纯钨的纯度达到99.999%和99.9999%，记为5N和6N的纯钨。它的各种杂质元素含量应在(0.1～1000)×10-12之间，对于某些杂质元素的含量，如放射性元素、碱金属元素、重金属元素和气体元素等还分别有特殊的要求。

  高纯钨及其硅化物用于超大规模集成电路作为电阻层、扩散阻挡层等以及在金属氧化物半导体型晶体管中作为门材料及连接材料等 。高纯钨中痕量元素的测定是评价高纯钨性能的重要标准，降低痕量元素的测定下限和增加痕量元素的测定数目，提高测量的精确度和灵敏度是高纯钨检测工艺的主要攻关方向。高纯金属中痕量元素的检测常用手段有光谱分析、质谱分析、中子分析等。随着材料纯度的提高，传统的光谱分析以及中子分析所测元素的量及分析灵敏度均不能满足6N 钨粉的分析要求，而质谱分析在高纯钨中痕量杂质的检测方面发挥着越来越重要的作用。

  高纯钨的制备工艺繁冗，同时各种提纯方法在脱除不同杂质的效果上存在很大差异；国内在高纯钨的精炼工艺方面，仍只是采用简单的真空脱气处理除去间隙杂质，产品纯度受到一定的限制。而熔炼法由于温度高，无污染，提纯效果好等特点，在提纯难熔金属方面具有极大的优势；但其原料纯度要求较高，成本高，工艺费时。因此，如何将各个工艺有机结合成功制备出高纯钨成为研究热点与难点。