金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD)是制备混合半导体器件、金属及金属氧化物、金属氮化物薄膜材料的一种芯片外延技术。MOCVD系统中，晶体生长多在常压或低压状态下（10-100Torr），衬底温度为500～1200℃，为了能够生长出纯净、界面陡峭、一致性好的薄膜材料， MOCVD设备需要为化学反应提供合适的环境。加热系统是 MOCVD 设备的重要组成部分，它能否快速、均匀的加热衬底，直接影响着薄膜沉积的质量、厚度一致性，以及芯片的性能。

MOCVD加热器的工况非常苛刻：连续工作时间长，温度高、热流密度大和反复的升降温。电阻片是加热器的核心部分，在通以一定的电流后电阻片发热，成为整个设备的热源。用于放置衬底的石墨盘表面温度为1350K的时候，电阻片的温度高达2000K，升温过程中电阻加热器的温度可以达到2500℃以上，所以选用的材料必须有熔点高、高温强度好、化学稳定性高等特性。以生长 GaN 的 MOCVD 设备为例，其最佳生长温度在 1000~1200℃ 左右。加热器发热元件的温度1500~2000℃ 左右。生长 GaN 的工艺中，要求外延衬底快速升温(升温速率达到 3-10℃ /s)和降温。

根据MOCVD设备的工艺要求，加热圈的性能必须满足：1. 实现大尺寸石墨托盘的均匀加热，有效面积比例尽量覆盖整个盘面；2. 现升降温速率快、稳定时间短；3. 升降温动态过程中保持温度均匀；4. 对于不同的气体流动环境，都能实现均匀加热；5、在反复升降温使用过程中，结构稳定可靠，寿命长。

根据MOCVD的工作特点，选用金属电阻加热元件是最合理，而根据实际需要满足的温度条件，仅有钨，铼等少数难熔金属才能满足使用需求。

钨加热器件经高温使用发生再结晶以后会变脆，在受冲击或震动的情况下极易断裂。而铼相对于钨具有更高的再结晶温度，而且再结晶后的铼也不是脆性材料，只是强度下降，作为非承力的加热器件依然具备良好的工作能力，具有最佳高温稳定性，更高的抗蠕变强度。因此，铼被用于制造MOCVD的加热器件，综合使用性能和成本考虑，是最恰当的选择，无其它材料可以替代。