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MOCVD中不可替代的“铼”加热器件

MOCVD中不可替代的“铼”加热器件

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  • 发布时间:2020-12-11 11:35
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【概要描述】金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,简称 MOCVD)是制备混合半导体器件、金属及金属氧化物、金属氮化物薄膜材料的一种芯片外延技术。MOCVD系统中,晶体生长多在常压或低压状态下(10-100Torr),衬底温度为500~1200℃,为了能够生长出纯净、界面陡峭、一致性好的薄膜材料, MOCVD设备需要为化学反应提供合适的环境。加热系统是 MOCVD 设备的重要组成部分,它能否快速、均匀的加热衬底,直接影响着薄膜沉积的质量、厚度一致性,以及芯片的性能。

MOCVD中不可替代的“铼”加热器件

【概要描述】金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,简称 MOCVD)是制备混合半导体器件、金属及金属氧化物、金属氮化物薄膜材料的一种芯片外延技术。MOCVD系统中,晶体生长多在常压或低压状态下(10-100Torr),衬底温度为500~1200℃,为了能够生长出纯净、界面陡峭、一致性好的薄膜材料, MOCVD设备需要为化学反应提供合适的环境。加热系统是 MOCVD 设备的重要组成部分,它能否快速、均匀的加热衬底,直接影响着薄膜沉积的质量、厚度一致性,以及芯片的性能。

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金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,简称 MOCVD)是制备混合半导体器件、金属及金属氧化物、金属氮化物薄膜材料的一种芯片外延技术。MOCVD系统中,晶体生长多在常压或低压状态下(10-100Torr),衬底温度为500~1200℃,为了能够生长出纯净、界面陡峭、一致性好的薄膜材料, MOCVD设备需要为化学反应提供合适的环境。加热系统是 MOCVD 设备的重要组成部分,它能否快速、均匀的加热衬底,直接影响着薄膜沉积的质量、厚度一致性,以及芯片的性能。

MOCVD加热器的工况非常苛刻:连续工作时间长,温度高、热流密度大和反复的升降温。电阻片是加热器的核心部分,在通以一定的电流后电阻片发热,成为整个设备的热源。用于放置衬底的石墨盘表面温度为1350K的时候,电阻片的温度高达2000K,升温过程中电阻加热器的温度可以达到2500℃以上,所以选用的材料必须有熔点高、高温强度好、化学稳定性高等特性。以生长 GaN 的 MOCVD 设备为例,其最佳生长温度在 1000~1200℃ 左右。加热器发热元件的温度1500~2000℃ 左右。生长 GaN 的工艺中,要求外延衬底快速升温(升温速率达到 3-10℃ /s)和降温。

根据MOCVD设备的工艺要求,加热圈的性能必须满足:1. 实现大尺寸石墨托盘的均匀加热,有效面积比例尽量覆盖整个盘面;2. 现升降温速率快、稳定时间短;3. 升降温动态过程中保持温度均匀;4. 对于不同的气体流动环境,都能实现均匀加热;5、在反复升降温使用过程中,结构稳定可靠,寿命长。

根据MOCVD的工作特点,选用金属电阻加热元件是最合理,而根据实际需要满足的温度条件,仅有钨,铼等少数难熔金属才能满足使用需求。

性能名称

纯钨

纯铼

熔点/℃

3410

3170

密度/(g/cm3)

19.3

21.02

 

电阻率μΩ·cm

20℃

5.5

19.8

1000℃

36.2

62

1500℃

52

82

2000℃

66

150

显微硬度/MPa

加工态

3423-3923

4903-7845

1000℃退火

834

2256-2452

 

抗拉强度/MPa

加工态

1950

1600

1400℃退火

1650

1400

1600℃退火

1200

1400

1800℃退火

850

1400

 

延伸率/%

加工态

1-2

1-2

1400℃退火

1-2

20-25

1600℃退火

1-2

18-20

1800℃退火

1-2

10-15

再结晶温度

1100℃

1500℃

钨加热器件经高温使用发生再结晶以后会变脆,在受冲击或震动的情况下极易断裂。而铼相对于钨具有更高的再结晶温度,而且再结晶后的铼也不是脆性材料,只是强度下降,作为非承力的加热器件依然具备良好的工作能力,具有最佳高温稳定性,更高的抗蠕变强度。因此,铼被用于制造MOCVD的加热器件,综合使用性能和成本考虑,是最恰当的选择,无其它材料可以替代。

 

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专门应对高温合金、难熔金属等材质零部件的 铣、削、钻加工刀具基体材料解决方案
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钨铼合金在搅拌摩擦焊中的应用
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欧泰旗下湖南铼因铼合金材料有限公司,是一家专门研究和制造稀有高熔点金属“铼”以及“铼合金”材料的高科技企业。铼因公司对钨铼合金有多年研究经验,所生产的3个牌号搅拌头材料已批量应用于各行业领域,也可以根据客户需求定制新的合金牌号。
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CT机X射线管阳极旋转靶
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CT球管在工作时,阳极靶在高能电子束轰击下产生X射线,但是能量转换效率非常低,只有1%左右的能量转换成了X射线能,其余99%的能量则转化为热能,使得局部温度可高达2600℃。因此,旋转阳极靶需要具有高温强度高、抗热冲击性能好、散热快等特点,所以靶材的致密度、合金杂质元素含量、石墨和钼合金的钎焊结合强度是影响靶盘使用寿命的重要因素。
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关于MOCVD
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2020-12-01
MOCVD 设备的制造技术被国外少数几个公司所掌握,如德国的AIXTRON、英国的Thomas Swan 与EMF、美国的Veeco、日本的Nishia、Nippon Sanso 和NissinElectric 等,还有一些公司在生产过程中采用自己独特的MOCVD 设备。
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